[15p-K301-1~12] 17.3 Layered materials

5:30 PM - 5:45 PM JST(8:30 AM - 8:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K301-7] Ni-Containing Two-Dimensional Layered Metal as a Source/Drain Contact Material

〇Koki Hori^1,2, Wen-Hsin Chang¹, Toshifumi Irisawa¹, Atsushi Ogura^2,3, Naoya Okada¹ (1.SFRC, AIST, 2.Meiji Univ., 3.MREL)

Keywords:

TMDC,MoS2,CMOS

我々はこれまでにNbのH₂S熱処理により形成した高い仕事関数の二次元層状金属NbS₂をWSe₂-pFETに適用することでコンタクト抵抗低減できることを実証している。一方、nFETの高性能化には低い仕事関数を有するpFETと異なるコンタクト材料が適している。本研究では、NbS₂と同様のH₂S熱処理条件で作製したNiとNbが含有する二次元層状金属（Ni-NbS2）をMoS₂-nFETのコンタクトに適用することでNbS₂やNiよりも高いオン電流が得られることを実証した。NbS₂はpFET、Ni-NbS₂はnFETのコンタクト材料として有用であり、TMDCチャネルCMOS性能向上技術として期待できる。