[15p-K301-1~12] 17.3 層状物質

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[15p-K301-7] Ni含有二次元層状金属を用いたソース／ドレインコンタクト形成技術

〇堀 幸妃^1,2、張 文馨¹、入沢 寿史¹、小椋 厚志^2,3、岡田 直也¹ (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL)

キーワード：

TMDC、MoS2、CMOS

我々はこれまでにNbのH₂S熱処理により形成した高い仕事関数の二次元層状金属NbS₂をWSe₂-pFETに適用することでコンタクト抵抗低減できることを実証している。一方、nFETの高性能化には低い仕事関数を有するpFETと異なるコンタクト材料が適している。本研究では、NbS₂と同様のH₂S熱処理条件で作製したNiとNbが含有する二次元層状金属（Ni-NbS2）をMoS₂-nFETのコンタクトに適用することでNbS₂やNiよりも高いオン電流が得られることを実証した。NbS₂はpFET、Ni-NbS₂はnFETのコンタクト材料として有用であり、TMDCチャネルCMOS性能向上技術として期待できる。