[15p-K310-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K310-3] Metal-induced lateral crystallization of amorphous Ge under high pressure annealing

〇(B)Naoto Mitsunaga¹, Shota Kikumoto¹, Taiyo Nakahara¹, Haruki Nonaka¹, Kenichiro Takakura¹, Isao Tsunoda¹ (1.NIT, Kumamoto College)

Keywords:

Metal-induced lateral crystallization

近年, 金属触媒を用いた横方向固相成長が広く研究されており, 今回は, 高圧環境下で非晶質Ge薄膜の金属横方向成長について調査した. 熱処理時の圧力上昇に伴い, 高圧下で熱処理を行うことで結晶成長が促進されることが分かり, 成長距離を熱処理時間の関数として整理すると熱処理時の圧力を0.6MPaまで上昇させることで横方向成長距離が約2.5倍まで拡大することが分かった.