[15p-K310-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K310-4] Improved mobility of p-channel GeSn thin-film transistors using multilayered solid-phase crystallization

〇Shintaro Maeda^1,2, Kenta Moto³, Linyu Huang³, Atsuki Morimoto³, Keisuke Yamamoto³, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.JSPS Research Fellow, 3.Kyushu Univ.)

Keywords:

Germanium,Thin film transistor,Solid phase crystallization

薄膜トランジスタ（TFT）の高速化・省エネルギー化に向けて、高移動度材料であるGe系薄膜を汎用基板上に多結晶合成する研究が活発化している。我々はこれまで固相成長において、結晶粒径の拡大に成功した。しかし、TFT応用に好適な薄い膜（≤50 nm）では結晶粒径、電気的特性が顕著に悪化する。そこで、核発生の制御により薄い膜の結晶粒径と電気的特性の改善を検討した。そして、合成膜を用いてTFTを作製した。