講演情報
[15p-K310-4]多層固相成長によるpチャネルGeSn薄膜トランジスタの移動度向上
〇前田 真太郎1,2、茂藤 健太3、黄 林昱3、森本 敦己3、山本 圭介3、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.学振特別研究員、3.九州大院)
キーワード：
ゲルマニウム、薄膜トランジスタ、固相成長
薄膜トランジスタ（TFT）の高速化・省エネルギー化に向けて、高移動度材料であるGe系薄膜を汎用基板上に多結晶合成する研究が活発化している。我々はこれまで固相成長において、結晶粒径の拡大に成功した。しかし、TFT応用に好適な薄い膜（≤50 nm）では結晶粒径、電気的特性が顕著に悪化する。そこで、核発生の制御により薄い膜の結晶粒径と電気的特性の改善を検討した。そして、合成膜を用いてTFTを作製した。