[15p-K310-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K310-5] Growth of III/V co-doped Ge crystals for high n-type doping

〇(M1C)Gaku Ishizu¹, Haruto Koto¹, Tomo Horota¹, Yuto Kawabata¹, Yuta Sasaki¹, Yasuhiko Ishikawa¹, Keisuke Yamane¹ (1.Toyohashi Tech.)

Keywords:

silicon photonics,n-type doping

情報通信技術の発展に伴い、シリコンフォトニクスの重要性が増し、Geを用いたn型ドーピングによる新規発光材料の開発が注目されている。我々の研究グループは、GaとPを共添加することでGeの結晶性を改善し、Pの固溶限を超える高濃度ドーピングを実現できることを報告した。本発表では、他のⅢ族およびⅤ族元素の組み合わせについて第1原理計算を用いた検討及び、TEMやSIMSによる結晶性評価の結果を報告する。