講演情報
[15p-K310-5]高濃度𝒏型ドーピングに向けたⅢ/Ⅴ族共添加 Ge 結晶の成長
〇(M1C)石津 岳1、古藤 良翔1、母良田 友1、川端 勇士1、佐々木 祐太1、石川 靖彦1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大)
キーワード：
シリコンフォトニクス、n型ドーピング
情報通信技術の発展に伴い、シリコンフォトニクスの重要性が増し、Geを用いたn型ドーピングによる新規発光材料の開発が注目されている。我々の研究グループは、GaとPを共添加することでGeの結晶性を改善し、Pの固溶限を超える高濃度ドーピングを実現できることを報告した。本発表では、他のⅢ族およびⅤ族元素の組み合わせについて第1原理計算を用いた検討及び、TEMやSIMSによる結晶性評価の結果を報告する。