[15p-K401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[15p-K401-11] Improving the luminous efficiency of 226 nm far-UVC LEDs with a double heterostructure as the light-emitting layer

〇Ryota Akaike^1,2, Hiroki Yasunaga^2,3, Takao Nakamura^1,2, Shuhei Ichikawa^4,5, Kazunobu Kojima⁴, Masahiko Tsuchiya⁶, Hideto Miyake^1,2 (1.Mie Univ. Grad. Sch. of Eng., 2.Mie Univ. IC-SDF, 3.Mie Univ. ORIP, 4.Osaka Univ. Grad. Sch. of Eng., 5.Osaka Univ. UHVEM, 6.Stanley Electric Co.)

Keywords:

AlGaN,far-UVC,double heterostructure

波長230 nm以下のfar-UVC光は人体に損傷を与えることなく細菌・ウィルスの不活性化が可能であり、AlGaN系far-UVC LEDの高効率化が進められている。我々は、多重量子井戸構造(MQW)ではなく、発光層幅の大きい(≥数10 nm)ダブルヘテロ構造(DH)の採用により、波長230 nmのfar-UVC LEDのEQE向上を報告してきた。本研究では、波長226 nmのfar-UVC LEDについてDH構造とMQW構造との比較を行った。