[15p-K401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:15 〜 16:30

[15p-K401-11] ダブルヘテロ構造を発光層とする226 nm far-UVC LEDの発光効率向上

〇赤池 良太^1,2、安永 弘樹^2,3、中村 孝夫^1,2、市川 修平^4,5、小島 一信⁴、土谷 正彦⁶、三宅 秀人^1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機構、4.阪大院工、5.阪大電顕セ、6.スタンレー電気)

キーワード：

AlGaN、far-UVC、ダブルヘテロ構造

波長230 nm以下のfar-UVC光は人体に損傷を与えることなく細菌・ウィルスの不活性化が可能であり、AlGaN系far-UVC LEDの高効率化が進められている。我々は、多重量子井戸構造(MQW)ではなく、発光層幅の大きい(≥数10 nm)ダブルヘテロ構造(DH)の採用により、波長230 nmのfar-UVC LEDのEQE向上を報告してきた。本研究では、波長226 nmのfar-UVC LEDについてDH構造とMQW構造との比較を行った。