[15p-K401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K401-12] Design and fabrication of Far-UVC LEDs based on ultrathin GaN quantum wells

〇Atsuhisa Izumi¹, Kanako Shojiki¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

AlGaN,MOVPE,far UVC

Far-UVC光は人体に無害でありながらウイルスを不活化できることから注目されている．その光源としてAlGaN系LEDが有望だが，効率が低いことが問題である．解決策として極薄GaN QWの利用が提案されているが，LED設計に関する系統的な検討は不十分であり，加えて，極薄GaN QWをMOVPE法により作製した例は極めて限定的である．そこで，本発表では，極薄GaN QWをもつFar-UVC LEDにおける，デバイスシミュレータを用いた設計と，設計に基づいたMOVPE成長について報告する．