講演情報
[15p-K401-12]極薄GaN量子井戸を用いたFar-UVC LEDの設計と作製
〇和泉 篤尚1、正直 花奈子1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)
キーワード：
窒化アルミニウムガリウム、有機金属気相成長、遠紫外
Far-UVC光は人体に無害でありながらウイルスを不活化できることから注目されている．その光源としてAlGaN系LEDが有望だが，効率が低いことが問題である．解決策として極薄GaN QWの利用が提案されているが，LED設計に関する系統的な検討は不十分であり，加えて，極薄GaN QWをMOVPE法により作製した例は極めて限定的である．そこで，本発表では，極薄GaN QWをもつFar-UVC LEDにおける，デバイスシミュレータを用いた設計と，設計に基づいたMOVPE成長について報告する．