[15p-K401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K401-2] Effect of growth temperature on AlGaN-based UV-B laser diodes and characterization of emission properties

〇(M1)Shundai Maruyama¹, Ryoya Yamada¹, Yoshinori Imoto¹, Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Yusuke Sasaki¹, Shogo Karino¹, Sho Iwayama¹, Hideto MIyake², Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo University, 2.Mie University)

Keywords:

Semiconductor laser

本研究グループでは、AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの特性向上を目指した検討を進めている。その一環として、MOVPE成長条件の最適化を試みており、特に結晶成長温度を1000℃から850℃に低下させることで、急峻なヘテロ接合界面の実現やキャリア注入効率の向上に伴う特性改善を確認した。一方で、成長温度の低下が活性層の発光特性に及ぼす影響については十分に理解されていない。本報告では、異なる成長温度で作製したAlGaN活性層の発光特性を詳細に検討した結果を報告する。