講演情報
[15p-K401-2]AlGaN系UV-Bレーザーダイオードにおける成長温度の影響と発光特性評価
〇(M1)丸山 竣大1、山田 凌矢1、井本 圭紀1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.三重大学)
キーワード：
半導体レーザ
本研究グループでは、AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの特性向上を目指した検討を進めている。その一環として、MOVPE成長条件の最適化を試みており、特に結晶成長温度を1000℃から850℃に低下させることで、急峻なヘテロ接合界面の実現やキャリア注入効率の向上に伴う特性改善を確認した。一方で、成長温度の低下が活性層の発光特性に及ぼす影響については十分に理解されていない。本報告では、異なる成長温度で作製したAlGaN活性層の発光特性を詳細に検討した結果を報告する。