[15p-K401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K401-3] AlGaN UV-B refractive index waveguide laser diodes: Optical characteristics and etching effects

〇(M1)Rintaro Miyake¹, Yoshinori Imoto¹, Ryoya Yamada¹, Takumu Saito¹, Shundai Maruyama¹, Shogo Karino¹, Yusuke Sasaki¹, Ryota Watanabe¹, Yuma Miyamoto¹, Naoki Kitta¹, Seiya Kato¹, Sho Iwayama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

semiconductor laser

本研究では、格子緩和した高品質AlGaNテンプレート上にUV-B LDを作製し、室温パルス発振を実現した。UV-B LDの高性能化のため、リッジ導波路構造などの屈折率導波路構造を採用することで特性改善を報告しているが、リッジ深さの依存性などは十分に解明されていない。本報告では、屈折率導波路構造と利得導波路型UV-B LDを作製し、光閉じ込めとエッチングダメージのトレードオフを検討した。