講演情報
[15p-K401-3]AlGaN系UV-B屈折率導波型半導体レーザーの光学特性とエッチング影響
〇(M1)三宅 倫太郎1、井本 圭紀1、山田 凌矢1、齋藤 巧夢1、丸山 竣大1、狩野 祥吾1、佐々木 祐輔1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、橘田 直樹1、加藤 晴也1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大理工、2.三重大工)
キーワード：
半導体レーザ
本研究では、格子緩和した高品質AlGaNテンプレート上にUV-B LDを作製し、室温パルス発振を実現した。UV-B LDの高性能化のため、リッジ導波路構造などの屈折率導波路構造を採用することで特性改善を報告しているが、リッジ深さの依存性などは十分に解明されていない。本報告では、屈折率導波路構造と利得導波路型UV-B LDを作製し、光閉じ込めとエッチングダメージのトレードオフを検討した。