[15p-K401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K401-7] Effects and characterization of low-temperature annealing of n-electrodes in AlGaN-based UV-B LDs

〇(B)Ryota Watanabe¹, Yoshinori Imoto¹, Ryoya Yamada¹, Takumu Saito¹, Shundai Maruyama¹, Rintaro Miyake¹, Shogo Karino¹, Yusuke Sasaki¹, Sho Iwayama¹, Hideto Miyake², Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

UV-B LD,AlGaN,annealing

我々は,AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）の高性能化に向けて,結晶成長温度を850℃に低温化で急峻なヘテロ接合の形成および，キャリア注入効率の増大を確認した．しかし，n型電極のオーミック接触形成に800～900℃程度の比較的高温でのアニールが必要とされ，本研究のLDでも900℃で3分間のアニールによってオーミック電極を形成している．本報告では，n型電極アニールの低温化およびそのLD性能への影響について検討した結果を示す．