講演情報
[15p-K401-7]AlGaN系UV-B LDにおけるn型電極低温アニールの効果と特性評価
〇(B)渡辺 崚太1、井本 圭紀1、山田 凌矢1、齋藤 巧夢1、丸山 竣大1、三宅 倫太郎1、狩野 祥吾1、佐々木 祐輔1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
紫外レーザー、AlGaN、アニール
我々は,AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）の高性能化に向けて,結晶成長温度を850℃に低温化で急峻なヘテロ接合の形成および，キャリア注入効率の増大を確認した．しかし，n型電極のオーミック接触形成に800～900℃程度の比較的高温でのアニールが必要とされ，本研究のLDでも900℃で3分間のアニールによってオーミック電極を形成している．本報告では，n型電極アニールの低温化およびそのLD性能への影響について検討した結果を示す．