[15p-K401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K401-9] Selection of substrate for vertical UV-B laser diode and optimization of process steps

〇(M1)YUSUKE SASAKI¹, Yoshinori Imoto¹, Ryoya Yamada¹, Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Shundai Maruyama¹, Shogo Karino¹, Sho Iwayama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

semiconductor laser

本研究グループは，サファイア基板上に形成したAlNピラー上にAlGaNを3次元成長させることで，格子緩和したAlGaN上でのUV-B LDの室温パルス駆動に成功している．前回の発表では，加熱・加圧水を用いた基板剥離法による縦型UV-B LDの室温パルス駆動に成功したことを報告した．しかし，多くの課題が残されている．本発表では，これらの詳細なプロセス工程や支持基板の選択に関する検討結果を報告する．