講演情報
[15p-K401-9]縦型UV-Bレーザーダイオードにおける支持基板の選定とプロセス工程の最適化
〇(M1)佐々木 祐輔1、井本 圭紀1、山田 凌矢1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、狩野 祥吾1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
半導体レーザ
本研究グループは，サファイア基板上に形成したAlNピラー上にAlGaNを3次元成長させることで，格子緩和したAlGaN上でのUV-B LDの室温パルス駆動に成功している．前回の発表では，加熱・加圧水を用いた基板剥離法による縦型UV-B LDの室温パルス駆動に成功したことを報告した．しかし，多くの課題が残されている．本発表では，これらの詳細なプロセス工程や支持基板の選択に関する検討結果を報告する．