[15p-K509-1~7] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[15p-K509-1] [The 57th Young Scientist Presentation Award Speech] Monte Carlo simulation of electron mobility in semiconductor nanosheets with arbitrary crystallographic orientations

〇Jo Okada¹, Hajime Tanaka¹, Nobuya Mori¹ (1.Osaka University)

Keywords:

nanosheet,Mobility,Krieger-Iafrate Equation

モンテカルロ(MC)法による半導体ナノシート(NS)の電子輸送解析では，通常，自由走行時にサブバンド指数は変化しないと仮定される．しかし，逆有効質量テンソルの非対角成分が有限の場合，この仮定は成り立たない．したがって，任意の結晶方位を有するNSの電子輸送解析には注意が必要である．本研究では，自由走行時サブバンド間遷移が，NSの電子移動度へ与える影響をMC法を用いて調べた．