講演情報
[15p-K509-1][第57回講演奨励賞受賞記念講演] 任意の結晶方位を有する半導体ナノシートにおける電子移動度のモンテカルロシミュレーション
〇岡田 丈1、田中 一1、森 伸也1 (1.大阪大学)
キーワード：
ナノシート、移動度、Krieger-Iafrate方程式
モンテカルロ(MC)法による半導体ナノシート(NS)の電子輸送解析では，通常，自由走行時にサブバンド指数は変化しないと仮定される．しかし，逆有効質量テンソルの非対角成分が有限の場合，この仮定は成り立たない．したがって，任意の結晶方位を有するNSの電子輸送解析には注意が必要である．本研究では，自由走行時サブバンド間遷移が，NSの電子移動度へ与える影響をMC法を用いて調べた．