[15p-P05-1~62] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[15p-P05-29] Almina film deposition by ALD on graphene for realization of ultra-thin gate metal

〇Yuto Noguchi¹, Kensho Matsuda¹, Takuya Kojima¹, Mengnan Ke¹, Shohei Kumagai², Toshihiro Okamoto², Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ., 2.Science Tokyo Univ.)

Keywords:

graphene,atomic layer deposition,F6-TCNNQ

グラフェンは、バンドギャップを持たないためチャネル材料としては利用できないものの、単層であっても高い導電性を有することから、ゲートスタックにおいて究極の薄さを有するゲート金属層としての利用が期待される。しかし、二次元層状物質上に原子層堆積法によって高誘電率絶縁膜を成膜しようとした場合、二次元層状物質表面にはダングリングボンドがないため、高誘電率絶縁膜を成膜することは容易でないことが課題となっていた。