講演情報
[15p-P05-29]極薄ゲート金属層利用に向けたグラフェン上へのALDによるアルミナ膜形成
〇野口 裕士1、松田 健生1、小島 拓也1、柯 梦南1、熊谷 翔平2、岡本 敏宏2、青木 伸之1 (1.千葉大工、2.東科大物)
キーワード：
グラフェン、原子層堆積法、F6-TCNNQ
グラフェンは、バンドギャップを持たないためチャネル材料としては利用できないものの、単層であっても高い導電性を有することから、ゲートスタックにおいて究極の薄さを有するゲート金属層としての利用が期待される。しかし、二次元層状物質上に原子層堆積法によって高誘電率絶縁膜を成膜しようとした場合、二次元層状物質表面にはダングリングボンドがないため、高誘電率絶縁膜を成膜することは容易でないことが課題となっていた。