[15p-P05-1~62] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[15p-P05-38] Effect of H₂ annealing of sapphire substrates on the orientation of CVD grown MoS₂

〇(B)Yuuki Ohara¹, Takato Oda¹, Hiroki Hibino¹ (1.Kangaku Univ.)

Keywords:

Two-dimensional material,Transition Metal Dichalcogenide,Molybdenum disulfide

二次元半導体MoS₂の高配向成長には基板表面の制御が重要である。本研究ではH₂アニールしたa軸オフc面サファイア基板上にCVD法でMoS₂を成長させた。H₂アニール基板では大気アニール基板に比べ良好な配向性が得られ、その原因が表面再構成と多段ステップがMoS₂の核形成密度や配向性向上に寄与するためであることがわかった。以上より、H₂アニールが高配向MoS₂成長に優位性があることが示唆された。