講演情報
[15p-P05-38]サファイア基板のH₂アニールがCVD法によるMoS₂の配向成長に与える影響
〇(B)大原 佑希1、小田 昂到1、日比野 浩樹1 (1.関学大理工)
キーワード：
二次元物質、遷移金属ダイカルコゲナイド、二流化モリブデン
二次元半導体MoS₂の高配向成長には基板表面の制御が重要である。本研究ではH₂アニールしたa軸オフc面サファイア基板上にCVD法でMoS₂を成長させた。H₂アニール基板では大気アニール基板に比べ良好な配向性が得られ、その原因が表面再構成と多段ステップがMoS₂の核形成密度や配向性向上に寄与するためであることがわかった。以上より、H₂アニールが高配向MoS₂成長に優位性があることが示唆された。