Presentation Information

[15p-P05-40]CVD growth of bulk SnS with a ferroelectric domain structure

〇Nozomi Matsui1, Atsuhiko Mori2, Kazuki Koyama2, Yuki Kato2, Sota Yamamoto2, Jun Ishihara2, Makoto Kohda1,2,3,4,5 (1.Dept. of Mat. Sci. and Eng., Tohoku Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Tohoku Univ., 3.CSIS, Tohoku Univ., 4.DEFS, Tohoku Univ., 5.QUARC, QST)

Keywords:

Two-dimensional layered material,Group IV Monochalcogenide,Ferroelectric

SnS(硫化スズ)は、IV族モノカルコゲナイドに属する二次元層状半導体であり、面内強誘電性やバルク光起電力効果により太陽電池への応用が期待されている。SnSは通常、反強誘電α相を取るが、結晶成長時に基板との歪みによって準安定な強誘電β'相へ相変態し、マルチレイヤーでも強誘電ドメインが形成される。本研究では化学気相成長法により成長させたSnSのドメイン構造を偏光顕微鏡で観察し、特定条件で形成された結晶表面に90度回転対称性を有するドメイン構造を確認した。これは基板温度勾配による歪の不均一性に起因すると考えられる。

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