講演情報
[15p-P05-40]強誘電ドメイン構造を有するバルク SnS の CVD 成長
〇松井 望1、森 敦彦2、小山 和輝2、加藤 悠暉2、山本 壮太2、石原 淳2、好田 誠1,2,3,4,5 (1.東北大工材料、2.東北大院工、3.東北大 CSIS、4.東北大 DEFS、5.QUARC 量研)
キーワード：
二次元層状材料、Ⅳ族モノカルコゲナイド、強誘電
SnS（硫化スズ）は、IV族モノカルコゲナイドに属する二次元層状半導体であり、面内強誘電性やバルク光起電力効果により太陽電池への応用が期待されている。SnSは通常、反強誘電α相を取るが、結晶成長時に基板との歪みによって準安定な強誘電β'相へ相変態し、マルチレイヤーでも強誘電ドメインが形成される。本研究では化学気相成長法により成長させたSnSのドメイン構造を偏光顕微鏡で観察し、特定条件で形成された結晶表面に90度回転対称性を有するドメイン構造を確認した。これは基板温度勾配による歪の不均一性に起因すると考えられる。