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[15p-P05-57]Fabrication of in-plane homojunctions based on black phosphorus
with different thicknesses by the O3 treatment

〇(B)Shohei Nagata1, Taichi Oda1, Mitsuru Inada1, Shingo Sato1, Mahito Yamamoto1 (1.Kansai Univ.)

Keywords:

black phosphorus,homojunctions,2D semiconductor

黒リンは、高い移動度を示し、層数によってバンドギャップが大きく変化することから、電界効果トランジスタ(FET)への応用が注目されている。しかし、黒リンは空気中の酸素や水と容易に反応し、結晶性が劣化してしまう欠点を有する。本研究では、この反応性を活かして黒リンを局所的にO3処理し、面内でバンドギャップの大きさの異なる黒リンホモ接合を形成した。

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