講演情報
[15p-P05-57]局所オゾン酸化による層数の異なる黒リン面内ホモ接合の形成
〇(B)長田 庄平1、小田 太一1、稲田 貢1、佐藤 伸吾1、山本 真人1 (1.関西大システム理工)
キーワード：
黒リン、ホモ接合、二次元半導体
黒リンは、高い移動度を示し、層数によってバンドギャップが大きく変化することから、電界効果トランジスタ(FET)への応用が注目されている。しかし、黒リンは空気中の酸素や水と容易に反応し、結晶性が劣化してしまう欠点を有する。本研究では、この反応性を活かして黒リンを局所的にO3処理し、面内でバンドギャップの大きさの異なる黒リンホモ接合を形成した。