[15p-P05-1~62] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[15p-P05-58] Charge trapping properties of O₃-ethced black phosphorus

〇(B)Takeshi Yamamoto¹, Taichi Oda¹, Mitsuru Inada¹, Mahito Yamamoto¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:

black phorsphorus,2D semiconductor,charge trap

二次元半導体の一種である黒リンをチャネルに用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製すると、表面酸化膜がトラップ層となり電荷トラップメモリとして機能することが報告されている。本研究では、O₃曝露と純水リンスによってエッチングした黒リンを用いてFETを作製し、その電荷トラップ特性を評価した。その結果、エッチング後の黒リンFETはゲート掃引に対してヒステリシスを示し、トラップ層の存在が示唆された。講演では、エッチング処理した黒リンFETの電荷トラップメモリ特性についても紹介する。