講演情報
[15p-P05-58]オゾン処理によって薄膜化した黒リンの電荷トラップ特性
〇(B)山本 健嗣1、小田 太一1、稲田 貢1、山本 真人1 (1.関西大システム理工)
キーワード：
黒リン、二次元半導体、電荷トラップ
二次元半導体の一種である黒リンをチャネルに用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製すると、表面酸化膜がトラップ層となり電荷トラップメモリとして機能することが報告されている。本研究では、O3曝露と純水リンスによってエッチングした黒リンを用いてFETを作製し、その電荷トラップ特性を評価した。その結果、エッチング後の黒リンFETはゲート掃引に対してヒステリシスを示し、トラップ層の存在が示唆された。講演では、エッチング処理した黒リンFETの電荷トラップメモリ特性についても紹介する。