Presentation Information
[15p-P05-62]Atomic layer deposition via F6-TCNNQ monolayer on WSe2 and dual gate FET operation
〇Kensho Matsuda1, Takuya Kojima1, Yuto Noguchi1, Mengnan Ke1, Shohei Kumagai2, Toshihiro Okamoto2, Nobuyuki Aoki1 (1.Chiba Univ., 2.Science Tokyo Univ.)
Keywords:
Semiconductor,Transition Metal Dichalcogenides
これまでTMDCに対するドーピング方法は確立されていなかった．これまでの研究よりWSe2上へのF6-TCNNQ成膜によってWSe2に対する電荷移動によるp型ドーピング効果を報告してきたが，F6-TCNNQ単層膜の被覆率に関しては評価が進んでいなかった．本研究では，WSe2表面の清浄化と，F6-TCNNQ成膜後の表面形状を原子間力顕微鏡（AFM）を用いて逐次確認することで表面の状態を把握し，F6-TCNNQ単層膜の実現を試みるとともに，F6-TCNNQ単層膜上に原子層堆積法によって成膜した絶縁層を用いたデュアルゲートFETの特性評価を行う．
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