講演情報
[15p-P05-62]WSe2上へのF6-TCNNQ単層膜を介した原子層堆積法の確立とデュアルゲート型FET動作の実現
〇松田 健生1、小島 拓也1、野口 裕士1、柯 梦南1、熊谷 翔平2、岡本 敏宏2、青木 伸之1 (1.千葉大院、2.科学大院)
キーワード：
半導体、遷移金属ダイカルコゲナイド
これまでTMDCに対するドーピング方法は確立されていなかった．これまでの研究よりWSe2上へのF6-TCNNQ成膜によってWSe2に対する電荷移動によるp型ドーピング効果を報告してきたが，F6-TCNNQ単層膜の被覆率に関しては評価が進んでいなかった．本研究では，WSe2表面の清浄化と，F6-TCNNQ成膜後の表面形状を原子間力顕微鏡（AFM）を用いて逐次確認することで表面の状態を把握し，F6-TCNNQ単層膜の実現を試みるとともに，F6-TCNNQ単層膜上に原子層堆積法によって成膜した絶縁層を用いたデュアルゲートFETの特性評価を行う．
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