[15p-P10-1~4] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[15p-P10-4] Selective Cu-filling into Via-hole by Chemical Vapor Deposition using CuI-precursor

〇Takumi Namba¹, Yu Miyamoto¹, Satoshi Yamauchi¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:

Area-selective Cu-deposition,Chemical vapor deposition

先に我々は、ヨウ化銅（Ⅰ）（CuI）を低圧中で加熱して昇華させて基板上に供給することで、400 ^oC以下で金属上へのみ選択的にCuを形成できること^[1]、および、その原理を示してきた^[2]。また、スパッタ形成したブランケットRu(0001)上で優先配向したCu(111)の形成が可能であることやその成長形態について報告した^[3]。今回は、これらの結果を基にRu(0001)層を下地とするSiO₂ビアホールへのCuの選択的埋め込みを試みたので報告する。