講演情報
[15p-P10-4]ヨウ化銅（I）を原料とするCVD法によるビアホールの選択埋め込み
〇難波 拓生1、宮本 裕1、山内 智1 (1.茨城大工)
キーワード：
銅の選択形成、化学気相堆積法
先に我々は、ヨウ化銅（Ⅰ）（CuI）を低圧中で加熱して昇華させて基板上に供給することで、400 oC以下で金属上へのみ選択的にCuを形成できること[1]、および、その原理を示してきた[2]。また、スパッタ形成したブランケットRu(0001)上で優先配向したCu(111)の形成が可能であることやその成長形態について報告した[3]。今回は、これらの結果を基にRu(0001)層を下地とするSiO2ビアホールへのCuの選択的埋め込みを試みたので報告する。