[15p-P12-1~40] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" (Poster)

[15p-P12-1] Production of Ga₂O₃/Cu₂O films by sputtering with powder targets

〇(M1)Tsuyoshi Torii¹, Sho Tanaka¹, Yasuji Yamada¹, Shuhei Funaki¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:

semiconductor,Cu2O,Ga2O3

我々の研究室では、大気アニールを行ったCu₂O粉末にCuを金属モル比で10 at%添加した粉末をスパッタリングターゲットに用いることで、結晶性の良いCu₂O単相膜を作製できることを見出した。このターゲットを用いた成膜により得られたCu₂O膜上に、Cu₂Oと相性が良いとされるGa₂O₃をn型層として成膜し、どのような特性が得られるかを調べた。