[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-1] 粉末ターゲットを用いたスパッタリングによるGa₂O₃/Cu₂O積層膜の作製

〇(M1)鳥居 剛至¹、田中 翔¹、山田 容士¹、舩木 修平¹ (1.島根大自然)

キーワード：

半導体、酸化銅、酸化ガリウム

我々の研究室では、大気アニールを行ったCu₂O粉末にCuを金属モル比で10 at%添加した粉末をスパッタリングターゲットに用いることで、結晶性の良いCu₂O単相膜を作製できることを見出した。このターゲットを用いた成膜により得られたCu₂O膜上に、Cu₂Oと相性が良いとされるGa₂O₃をn型層として成膜し、どのような特性が得られるかを調べた。