[15p-P12-1~40] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" (Poster)

[15p-P12-28] Deposition Temperature Dependence of UV Photoresponse of Amorphous GaO_x UV Photodetectors deposited by Mist CVD Method

〇(M1)Iori Yamasaki¹, Manami Miyazaki¹, Yuma Tanaka¹, Masatoshi Koyama¹, Akihiko Fujii¹, Toshihiko Maemoto¹ (1.NMRC, Osaka inst. of Tech.)

Keywords:

Ga2O3,Gallium Oxide,UV photodetector

約5 eVの大きなバンドギャップを有し，比較的低温で成膜が可能な非晶質GaO_x薄膜は，深紫外線検出器への応用が期待される．本研究では，ミストCVD法を用いてc面サファイア基板上にGaO_x薄膜を140〜320℃で成膜し，これらの薄膜の結晶構造や光学特性，化学結合状態の評価を行った．また，これらの薄膜を用いたMSM型光検出器を作製・評価し，光学特性，紫外線応答特性とGaO_x薄膜の化学結合状態との関係について調べた結果について報告する．