講演情報
[15p-P12-28]ミストCVD法で成膜した非晶質GaOx紫外線検出器の紫外線応答特性の成膜温度依存性
〇(M1)山崎 伊織1、宮嵜 愛実1、田中 悠馬1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)
キーワード：
Ga2O3、酸化ガリウム、紫外線検出器
約5 eVの大きなバンドギャップを有し，比較的低温で成膜が可能な非晶質GaOx薄膜は，深紫外線検出器への応用が期待される．本研究では，ミストCVD法を用いてc面サファイア基板上にGaOx薄膜を140〜320℃で成膜し，これらの薄膜の結晶構造や光学特性，化学結合状態の評価を行った．また，これらの薄膜を用いたMSM型光検出器を作製・評価し，光学特性，紫外線応答特性とGaOx薄膜の化学結合状態との関係について調べた結果について報告する．