[15p-P12-1~40] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" (Poster)

[15p-P12-7] Mist CVD Growth and Crystal Structure Analysis of κ-Ga₂O₃ on N-polar GaN

〇(B)Misaki Nishikawa¹, Shunpei Ichikawa¹, Nowa Ito¹, Masatoshi Koyama¹, Akihiko Fujii¹, Toshihiko Maemoto¹ (1.NMRC, Osaka Inst. of Tech.)

Keywords:

Ga2O3,N-polar GaN,Mist CVD

本研究では，自発分極を有するGaNとκ-Ga₂O₃のヘテロ接合を成長し，分極特性を利用したヘテロ構造デバイス応用を目指している．ミストCVD法を用いて4H-SiC基板上N極性 GaN (000-1) エピタキシャル層の上にGa₂O₃薄膜の結晶成長を行い，その結晶構造をXRD 2θ/ωスキャン，φスキャンで調べた結果，κ-Ga₂O₃が成長していることが分かった．GaNに対するκ-Ga₂O₃の面外および面内の配向関係や，断面TEM観察結果についても報告する.