講演情報
[15p-P12-7]ミストCVD法によるN極性GaN上κ-Ga2O3の成長と結晶構造解析
〇(B)西川 未咲1、市川 峻平1、伊藤 伸羽1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)
キーワード：
Ga2O3、N極性GaN、ミストCVD
本研究では，自発分極を有するGaNとκ-Ga2O3のヘテロ接合を成長し，分極特性を利用したヘテロ構造デバイス応用を目指している．ミストCVD法を用いて4H-SiC基板上N極性 GaN (000-1) エピタキシャル層の上にGa2O3薄膜の結晶成長を行い，その結晶構造をXRD 2θ/ωスキャン，φスキャンで調べた結果，κ-Ga2O3が成長していることが分かった．GaNに対するκ-Ga2O3の面外および面内の配向関係や，断面TEM観察結果についても報告する.