[16a-K101-1~11] 17.3 Layered materials

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[16a-K101-10] Effect of annealing temperature and film thickness on crystallization behavior of metastable layered semiconductor material GeTe₂ thin film

〇(M1)Yu Kato¹, Shogo Hatayama², Mihyeon Kim¹, Yuta Saito^1,3 (1.Tohoku Univ., 2.SFRC, AIST, 3.GXT, Tohoku Univ.)

Keywords:

metastable layered material,dichalcogenide,semiconductor

従来のSiテクノロジーが微細化限界を迎えることが予想されている中で，層状材料を半導体デバイスに応用することが検討されている。近年、薄膜でのみ存在し得る準安定材料のGeTe₂が層状構造を有することが報告された。そこで、本研究ではアモルファス薄膜の組成，膜厚，熱処理温度の影響を調査し、GeTe₂の形成条件や分解条件に及ぼす因子の解明を行なった。