講演情報
[16a-K101-10]準安定層状半導体GeTe2の結晶化挙動に及ぼす熱処理温度と膜厚の影響
〇(M1)加藤 侑1、畑山 祥吾2、金 美賢1、齊藤 雄太1,3 (1.東北大院工、2.産総研 SFRC、3.東北大GXT)
キーワード：
準安定層状材料、ダイカルコゲナイド、半導体
従来のSiテクノロジーが微細化限界を迎えることが予想されている中で，層状材料を半導体デバイスに応用することが検討されている。近年、薄膜でのみ存在し得る準安定材料のGeTe2が層状構造を有することが報告された。そこで、本研究ではアモルファス薄膜の組成，膜厚，熱処理温度の影響を調査し、GeTe2の形成条件や分解条件に及ぼす因子の解明を行なった。