[16a-K101-1~11] 17.3 Layered materials

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[16a-K101-3] Development of a Two-Step Annealing Method for MoS₂ formation

〇Naoya Okada¹, Toshifumi Irisawa¹, Shinichi Tanabe², Hitoshi Miura², Yumin Huang², Warashina Hisashi², Hao Cheng², Atsuki Fukazawa², Hiroki Maehara² (1.SFRC, AIST, 2.Tokyo Electron Ltd.)

Keywords:

MoS2,H2S,CMOS

我々は、MoS₂の独自の形成手法「2段階アニール法」を開発してきた。この手法では、MoS₂の前駆体となる薄膜（初期膜）をPVD等で形成後、硫化処理と結晶化処理の2段階に分けてアニール処理する。本研究では、1段階目の硫化処理時の圧力がMoS₂の結晶性に与える影響や、2段階目の結晶化処理の有効性を示す。