講演情報
[16a-K101-3]2段階アニール法におけるMoS2形成条件の探索
〇岡田 直也1、入沢 寿史1、田邉 真一2、三浦 仁嗣2、黄 祐敏2、藁科 尚士2、成 浩2、深澤 篤毅2、前原 大樹2 (1.産総研 SFRC、2.東京エレクトロン)
キーワード：
MoS2、H2S、CMOS
我々は、MoS2の独自の形成手法「2段階アニール法」を開発してきた。この手法では、MoS2の前駆体となる薄膜（初期膜）をPVD等で形成後、硫化処理と結晶化処理の2段階に分けてアニール処理する。本研究では、1段階目の硫化処理時の圧力がMoS2の結晶性に与える影響や、2段階目の結晶化処理の有効性を示す。