[16a-K101-1~11] 17.3 Layered materials

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[16a-K101-9] Exploration of growth conditions
for the formation of metastable layered material SiTe₂ thin films

〇Kohki Tonoike¹, Shogo Hatayama², Mihyeon Kim¹, Yuta Saito^1,2,3 (1.Tohoku Univ., 2.AIST, SFRC, 3.Tohoku Univ. GXT)

Keywords:

2D material,layered material,metastable

本講演は，現在Siに代わる新規チャネル材料として注目される二次元層状物質の中でも，未だ報告の少ない準安定な物質群に属するSiTe₂に焦点を当てるものである。当該物質が確認された先行研究に基づき，同プロセスにおける薄膜組成及び熱処理温度を最適化し，より薄い膜厚で均一に高品質なSiTe₂の成膜条件を確立するため調査を行った。発表ではX線回折（XRD）の結果を主とし，表面観察なども含め詳細に説明する。