講演情報
[16a-K101-9]準安定層状物質SiTe2薄膜形成に及ぼす成長条件の探索
〇外池 巧樹1、畑山 祥吾2、金 美賢1、齊藤 雄太1,2,3 (1.東北大工、2.産総研SFRC、3.東北大GXT)
キーワード：
二次元材料、層状物質、準安定
本講演は，現在Siに代わる新規チャネル材料として注目される二次元層状物質の中でも，未だ報告の少ない準安定な物質群に属するSiTe2に焦点を当てるものである。当該物質が確認された先行研究に基づき，同プロセスにおける薄膜組成及び熱処理温度を最適化し，より薄い膜厚で均一に高品質なSiTe2の成膜条件を確立するため調査を行った。発表ではX線回折（XRD）の結果を主とし，表面観察なども含め詳細に説明する。