Presentation Information
[16a-K301-11]Interface state density reduction by a process combining nitrogen incorporation at 4H-SiC/SiO2 interface by NO and boron doping in SiO2
〇Tatsumi Nakashima1, Munetaka Noguchi2, Shiro Hino2, Takashi Onaya1, Koji Kita1 (1.GSFS, The Univ. of Tokyo, 2.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation)
Keywords:
SiC,Nitridation,B doping
NOアニールにより4H-SiC/SiO2界面にN原子を導入することが界面準位密度(Dit)の低減に効果がある。また,BをSiO2中にドーピングすることで,Ditが低減することも知られている。N2Oアニールにより形成した酸窒化膜にBをドーピングすることでさらにDitが改善したという報告もある。そこで本研究では,NOアニールによる界面への窒素導入とSiO2中へのBドーピングを併用するプロセスが界面特性に与える効果と,そのプロセスによる界面への窒素導入量について検討した。
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