[16a-K301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[16a-K301-11] Interface state density reduction by a process combining nitrogen incorporation at 4H-SiC/SiO₂ interface by NO and boron doping in SiO₂

〇Tatsumi Nakashima¹, Munetaka Noguchi², Shiro Hino², Takashi Onaya¹, Koji Kita¹ (1.GSFS, The Univ. of Tokyo, 2.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation)

Keywords:

SiC,Nitridation,B doping

NOアニールにより4H-SiC/SiO₂界面にN原子を導入することが界面準位密度(D_it)の低減に効果がある。また，BをSiO₂中にドーピングすることで，D_itが低減することも知られている。N₂Oアニールにより形成した酸窒化膜にBをドーピングすることでさらにD_itが改善したという報告もある。そこで本研究では，NOアニールによる界面への窒素導入とSiO₂中へのBドーピングを併用するプロセスが界面特性に与える効果と，そのプロセスによる界面への窒素導入量について検討した。