講演情報
[16a-K301-11]NOによる4H-SiC/SiO2界面への窒素導入とSiO2中へのホウ素ドーピングを併用したプロセスによる界面準位低減効果
〇中島 辰海1、野口 宗隆2、日野 史郎2、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域、2.三菱電機(株) 先端技術総合研究所)
キーワード：
SiC、窒化、ホウ素ドーピング
NOアニールにより4H-SiC/SiO2界面にN原子を導入することが界面準位密度(Dit)の低減に効果がある。また，BをSiO2中にドーピングすることで，Ditが低減することも知られている。N2Oアニールにより形成した酸窒化膜にBをドーピングすることでさらにDitが改善したという報告もある。そこで本研究では，NOアニールによる界面への窒素導入とSiO2中へのBドーピングを併用するプロセスが界面特性に与える効果と，そのプロセスによる界面への窒素導入量について検討した。