[16a-K301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16a-K301-2] Polarity control of photoinduced carriers at SiC MOS interface at room temperature

〇(D)Tetsuhiro Owa¹, Jin Miura¹, Fumiyuki Inamura¹, Takashi Ikuta¹, Kenzo Maehashi¹, Kenji Ikushima¹ (1.Tokyo Univ. of A & T)

Keywords:

SiC,MOS,photoinduced carriers

近年、半導体のキャリア極性を可逆的に制御する方法として光照射によるキャリアのドーピングがSi-MOS構造で報告されている。この技術を利用すれば、光プログラマブルなCMOS論理回路への展望が拓ける。しかし、室温では熱励起によるキャリア生成があるために、Si基板の冷却が必要である（< 77 K）。本研究ではワイドバンドギャップ半導体SiCを用いたSiC-MOS構造を作製し、室温下で光誘起キャリアの極性制御を実証した。